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八氟丙烷 (C3F8) 用於等離子體蝕刻。與 C2F6 相比,C3F8 的碳氟比 (C/F) 更高。當 C3F8 暴露於刻蝕過程中產生的射頻場時,會產生氣體等離子體,該等離子體能夠以優異的選擇性刻蝕二氧化矽或氮化矽。